一种用于两相法沉积介孔硅的钛片夹持装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种化学试验辅助装置领域的用于两相法沉积介孔硅的钛片夹持装置,包括两个一字形环形单元,且每个所述一字形环形单元均为非闭合环形结构;两个所述一字形环形单元嵌套连接形成成十字形夹持装置,并且两个所述一字形环形单元中心结合处为镂空,形成用于置放搅拌子的空腔,其四周形成用于夹持钛片的夹持腔;并且所述两个一字形环形单元可拆开使用,每个所述一字形环形单元均可单独作为夹持装置使用。本实用新型的装置结构简单易于操作,在使用时,不仅可以将钛片稳固可靠的固定在水相,同时又避免对下方搅拌子,以及上方两相界面的扰动,为最终介孔硅薄膜的成功合成奠定基础。

基本信息
专利标题 :
一种用于两相法沉积介孔硅的钛片夹持装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020324803.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-16
授权号 :
CN211872086U
授权日 :
2020-11-06
发明人 :
宋文孟凡辉李哲何奕德陈芳浩
申请人 :
中国人民解放军空军军医大学
申请人地址 :
陕西省西安市新城区长乐西路169号
代理机构 :
西安研创天下知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
白志杰
优先权 :
CN202020324803.3
主分类号 :
C23C18/12
IPC分类号 :
C23C18/12  C01B33/021  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18/00
通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆;接触镀
C23C18/02
热分解法
C23C18/12
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
法律状态
2022-02-25 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : C23C 18/12
申请日 : 20200316
授权公告日 : 20201106
终止日期 : 20210316
2020-11-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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