一种磁控溅射反应设备的可调节样品基底夹持机构
授权
摘要
本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射反应设备的可调节样品基底夹持机构，包括设置于基片的夹片，样品基底通过夹片夹紧，还包括第一轨道、两条平行的固定片以及固定件；第一轨道设置于基片，每一固定片均与第一轨道垂直且活动配合于第一轨道；每一固定片均连接有一所述固定件，每一所述固定件均连接有一所示夹片，每一固定片与其对应的夹片、固定件整体能沿第一轨道活动；样品基底放置于两条固定片并通过夹片夹紧。本实用新型通过第一轨道调节两固定片之间的位置与距离实现样品基底的最佳镀膜固定位置，解决了样品基底固定过程中大小、形状不一的样品基底固定困难的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种磁控溅射反应设备的可调节样品基底夹持机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020333822.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-17
授权号 ：
CN211921683U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
鲁聪达俞越翎马毅黄先伟宋宇轩张泰华
申请人 ：
浙江工业大学
申请人地址 ：
浙江省杭州市下城区朝晖六区
代理机构 ：
浙江千克知识产权代理有限公司
代理人 ：
周希良
优先权 ：
CN202020333822.2
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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