硅块破碎装置

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摘要

本实用新型公开了一种硅块破碎装置。该破碎装置包括：传动装置；加热区、缓冲区、冷冻区和重锤区，加热区、缓冲区、冷冻区和重锤区沿传动装置的长度方向依次布置，加热区内设有加热设备和进料口，冷冻区内设有冷冻设备，重锤区上方设有重锤。采用该破碎装置对硅块进行破碎处理，硅块经过加热区和冷冻区的加热‑冷冻预处理，脆度显著提升。进而经过预处理的硅块进入重锤区，在重锤的作用下可以被轻易震碎，得到粒度均匀的碎料。由此，采用该硅块破碎装置对硅块进行破碎处理，有效避免了破碎处理中二次污染的问题，且无需人工破碎，具有破碎效率高、劳动强度低、设备成本低及使用寿命长等优点。

基本信息

专利标题：

硅块破碎装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020358560.5

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-03-19

授权号：

CN212732476U

授权日：

2021-03-19

发明人：

魏富增张天雨田新李嘉佩闫家强孙志东

申请人：

江苏鑫华半导体材料科技有限公司

申请人地址：

江苏省徐州市经济技术开发区杨山路66号

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

肖阳

优先权：

CN202020358560.5

主分类号：

B02C19/18

IPC分类号：

B02C19/18 B02C1/14 B02C21/00