一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置，包括：基板；总控制器，所述总控制器设置在所述基板上；栅极阈值电压测试电路，所述栅极阈值电压测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；集射极截止电流测试电路，所述集射极截止电流测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接；以及饱和导通压降测试电路，所述饱和导通压降测试电路与所述总控制器连接，并用于与一个待测IGBT模组连接。该IGBT测试装置有利于同时为多个待测IGBT模组进行测试或者对一个待测IGBT模组进行多种测试，从而综合测试待测IGBT模组的栅极阈值电压、集射极电流以及饱和导通压降。
基本信息
专利标题 ：
一种具有饱和导通压降测试电路的IGBT测试装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020425534.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN212845732U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
黄道姗林焱吴丹岳林芳方晓玲杜培张慧瑜张伟骏
申请人 ：
国网福建省电力有限公司电力科学研究院;国网福建省电力有限公司
申请人地址 ：
福建省福州市仓山区复园支路48号
代理机构 ：
福州元创专利商标代理有限公司
代理人 ：
丘鸿超
优先权 ：
CN202020425534.X
主分类号 ：
G01R31/26
IPC分类号 ：
G01R31/26 G01R1/04 G01R1/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R31/26
•单个半导体器件的测试
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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