一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置
授权
摘要

一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置,涉及人工晶体领域,本实用新型中冷却液体通路对插板阀下面进行冷却,进而提高插板阀使用的可靠性,有效的提高了插板阀的寿命等,然后在每个吹气管(3)的进气端分别设置节流阀(10),可以对不同结晶温度的拉制孔实现吹气量的调节,这样可以保证每个结晶区的结晶温度一致,进而实现多根硅芯的同时拉制,有效的保证了硅芯质量等,硅芯的快速均匀冷却可以提高晶体的拉制速度、增加所拉制的硅芯的直径,而硅芯直径的加大,又使其后期在还原炉内的生长速度加快,由此提高了生产效率等,本实用新型具有结构简单,使用效果好等优点,适合大范围的推广和应用。

基本信息
专利标题 :
一种用于硅芯拉制时对硅芯拉制区进行冷却的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020434710.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-03-30
授权号 :
CN212895084U
授权日 :
2021-04-06
发明人 :
戚振华
申请人 :
戚振华
申请人地址 :
河南省洛阳市洛龙区展览路18号新天地红太阳花园2号楼3单元1002室
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202020434710.6
主分类号 :
C30B27/02
IPC分类号 :
C30B27/02  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
C30B27/02
自熔融液的提拉法
法律状态
2021-04-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212895084U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332