一种硅芯拉制冷却装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅芯拉制冷却装置，包括一号冷却板，所述一号冷却板的下方通过螺栓连接有二号冷却板，所述一号冷却板与所述二号冷却板之间通过滚动环滑动连接有三号冷却板，所述一号冷却板的中间位置及四周位置均贯穿设有一号硅芯拉制通道，所述一号硅芯拉制通道的外侧贯穿设有一号冷却通道，所述三号冷却板的中间位置及四周位置均贯穿设有弧形硅芯拉制通道，所述弧形硅芯拉制通道的外侧贯穿设有多级冷却通道，所述二号冷却板的中间位置及四周位置均贯穿设有二号硅芯拉制通道，所述二号硅芯拉制通道的外侧设有二号冷却通道，所述一号冷却板的右侧外表面设有冷却级别调节盘，可以根据室内温度的具体环境，对冷却速率进行调节。
基本信息
专利标题 ：
一种硅芯拉制冷却装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022038571.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-17
授权号 ：
CN211897164U
授权日 ：
2020-11-10
发明人 ：
金胜薛建云施红亮邱风
申请人 ：
新疆登博新能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区昌吉回族自治州昌吉市高新技术产业开发区经五路6号新疆索科斯新材料公司院内(昌高区1丘24栋)
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN202022038571.8
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B28/10 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2020-11-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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