旁路二极管
授权
摘要
旁路二极管。本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及提升电流通过量的旁路二极管的封装技术。提供了结构紧凑合理、散热性高、性能好的旁路二极管。包括引线框架、芯片组一和一对对称设置的芯片组二；一对所述芯片组二分别固定设置在靠近所述引线框架的边缘位置；所述芯片组一固定设置在一对所述芯片组二之间；所述芯片组一的头部位于所述芯片组二的尾部一侧。本实用新型具有结构紧凑合理、散热性高、性能好等特点。
基本信息
专利标题 ：
旁路二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020440675.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-30
授权号 ：
CN211208442U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
肖宝童薛伟吕强金铭熊鹏程王毅
申请人 ：
扬州扬杰电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区平山堂北路江阳创业园三期
代理机构 ：
扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郭翔
优先权 ：
CN202020440675.9
主分类号 ：
H01L25/07
IPC分类号 ：
H01L25/07 H01L23/495 H02S40/34
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/03
所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件
H01L25/04
不具有单独容器的器件
H01L25/07
包含在H01L29/00组类型的器件
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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