薄膜太阳能领域光伏旁路二极管框架
授权
摘要
本实用新型公开一种薄膜太阳能领域光伏旁路二极管框架，属于半导体电气元件技术领域，包括芯片承载框架，芯片承载框架的上下两侧设有边框，芯片承载框架上设置若干个光伏二极管结构单元，光伏二极管结构单元的上下两侧均与上下设置的边框连接，光伏二极管结构单元在芯片承载框架上呈矩阵式均匀排列，光伏二极管结构单元间设有支撑筋，支撑筋连通光伏二极管结构单元上的正负引线端，使得电流通过芯片承载框架的表面，边框与光伏二极管结构单元连接的位置处设有应力释放装置。能够承载光伏二极管结构单元构成矩阵框架，便于光伏二极管的批量制造。解决了现有技术中出现的问题。
基本信息
专利标题 ：
薄膜太阳能领域光伏旁路二极管框架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922012307.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-20
授权号 ：
CN211088257U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
姜旭波吴南郝龙翠
申请人 ：
山东芯诺电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济宁市兖州区兖颜路路北（天齐庙村村西）
代理机构 ：
青岛发思特专利商标代理有限公司
代理人 ：
丁鹏鹏
优先权 ：
CN201922012307.4
主分类号 ：
H01L23/495
IPC分类号 ：
H01L23/495 H01L31/044
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
H01L23/495
引线框架的
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
