一种窄腐蚀沟道芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种窄腐蚀沟道芯片，包括：衬底，所述衬底包括P型硅和N型硅，所述N型硅固定安装于P型硅上端表面；耐腐蚀层，所述耐腐蚀层包括一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层；其中，所述一号耐腐蚀层涂覆于N型硅之间的P型硅上端表面，所述二号耐腐蚀层涂覆于N型硅上端表面；本实用新型通过设有的耐腐蚀层，由于一号耐腐蚀层和二号耐腐蚀层均为二氧化硅，当采用硅湿法腐蚀工艺时，其基本的腐蚀剂是氢氟酸(HF)，它有腐蚀二氧化硅而不伤及硅的优点，故可腐蚀掉裸露的衬底表面材料，又能保持对光刻胶很小的腐蚀程度，从而能把所需的图形准确地刻蚀出来，达到将图形永久转移到硅片上的任务，具有非常好的实用性。
基本信息
专利标题 ：
一种窄腐蚀沟道芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020543399.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-14
授权号 ：
CN211404509U
授权日 ：
2020-09-01
发明人 ：
曹孙根
申请人 ：
安徽钜芯半导体科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省池州市经济技术开发区双龙路2号
代理机构 ：
合肥中博知信知识产权代理有限公司
代理人 ：
吴栋杰
优先权 ：
CN202020543399.9
主分类号 ：
H01L29/78
IPC分类号 ：
H01L29/78 H01L29/51
法律状态
2020-09-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
