一种基于倒装芯片技术的耐腐蚀且散热好的芯片
授权
摘要
本实用新型公开了一种基于倒装芯片技术的耐腐蚀且散热好的芯片，包括倒装芯片，所述倒装芯片底端设有散热基座，所述倒装芯片顶端设有第一散热基板，所述第一散热基板顶端通过若干个导热杆与第二散热基板的底端固定连接，所述第二散热基板的顶端外表壁上固定连接有若干个翅片，所述倒装芯片底端固定有电极，所述电极贯穿所述散热基座。本实用新型中，采用双面散热结构，通过设置散热基板、散热基座、导热杆、翅片和散热孔，可以引导倒装芯片产生的热量，增加散热途径，降低芯片周围的温度，有效提高了倒装芯片的散热效率、性能和使用寿命，防腐层使倒装芯片具有了一定的耐腐蚀性，进而可以应用到一些特殊环境中。
基本信息
专利标题 ：
一种基于倒装芯片技术的耐腐蚀且散热好的芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021628685.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-07
授权号 ：
CN212648219U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
姚静曾龙王谦
申请人 ：
武汉源和泳涵科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖高新光谷大道国际企业中心文韬楼A座406室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021628685.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/367
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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