光激发可控硅开关
授权
摘要
本实用新型公开了一种光激发可控硅开关，该可控硅开关设有硅衬底，在所述硅衬底上设有至少一个晶闸管、至少一个通过产生电磁辐射触发晶闸管开启的硅二极管及至少一个可将晶闸管与硅二极管之间物理和电隔离的沟槽，所述硅二极管设于所述晶闸管内部或侧部。本实用新型具有可靠性高、能耗低及成本低等特点。
基本信息
专利标题 ：
光激发可控硅开关
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020598722.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-21
授权号 ：
CN211507636U
授权日 ：
2020-09-15
发明人 ：
侯宁韩平
申请人 ：
深圳市和创元科技有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区沙头街道天安社区泰然五路天安科技创业园B座802
代理机构 ：
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李捷
优先权 ：
CN202020598722.2
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L29/74 H01L29/861
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2020-09-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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