可控硅复合开关电路装置

专利权的终止

摘要

本实用新型公开一种可控硅容性负载过零导通电路装置。其包括并联连接的可控硅采样电路及磁保持继电器，还包括顺序连接的如下电路：一个电容电压波形整形电路，将可控硅采样电路采样到的电容电压信号转换为全波整流信号；一个过零信号生成以及光电隔离电路，将该全波整流信号转换为窄脉冲信号；一个反向整形电路，将该窄脉冲信号倒相；一个可控硅保护门电路以及触发驱动器，将该倒相窄脉冲信号连接到可控硅的控制栅，作为可控硅过零导通的控制信号。本实用新型可以阻止任何过零点时刻以外的误触发信号，确保可控硅不会因误触发而被烧毁。而且制作，调试，使用都非常方便，所增加的元器件的价格也较低廉。

基本信息

专利标题：

可控硅复合开关电路装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820185291.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-08-28

授权号：

CN201274463Y

授权日：

2009-07-15

发明人：

瞿明园

申请人：

无锡市凯灵电气有限责任公司

申请人地址：

214187江苏省无锡市惠山区洛社雅西

代理机构：

无锡华源专利事务所

代理人：

聂汉钦

优先权：

CN200820185291.6

主分类号：

H03K17/72

IPC分类号：

H03K17/72 H03K17/08