一种复合可控硅电路
授权
摘要
本实用新型公开了一种复合可控硅电路，包含一第一可控硅，所述的第一可控硅包含一第一主电极、一第一副电极和一第一门极，所述的第一可控硅的下游设有一第二可控硅，所述的第二可控硅包含一第二主电极和一第二副电极，所述的第二主电极与所述的第一主电极相连接，所述的第二副电极通过一电阻与所述的第一门极相连接。所述的电阻为正温度系数电阻PTC。当选取合适的PTC及第一可控硅T1和第二可控硅T2时，电路可以利用很低的脉冲触发电流去控制大电流的第一可控硅T1的目的，同时也降低了限流电阻PTC1上的发热量。
基本信息
专利标题 ：
一种复合可控硅电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921669513.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-08
授权号 ：
CN210274017U
授权日 ：
2020-04-07
发明人 ：
杜照涢
申请人 ：
杜照涢
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星湖都市生活广场1-1502室
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
席卷
优先权 ：
CN201921669513.6
主分类号 ：
H03K17/73
IPC分类号 ：
H03K17/73 H05B47/10
法律状态
2020-04-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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