基于SiC MOSFET的三相四桥臂逆变器
授权
摘要
本实用新型公开了基于SiC MOSFET的三相四桥臂逆变器，包括主功率电路、处理器、直流电压采集电路、驱动保护电路、电流采集电路和负载电压采集电路。直流电压采集电路采集主功率电路中的直流输入电压并反馈给处理器。电流采集电路采集主功率电路中的负载电流并反馈给处理器。负载电压采集电路采集主功率电路中的负载电压并反馈给处理器。处理器输出八路控制信号给驱动保护电路，驱动保护电路产生四路上桥臂驱动信号和四路下桥臂驱动信号。同一桥臂的上桥臂驱动信号和下桥臂驱动信号互锁。本实用新型的基于SiC MOSFET的三相四桥臂逆变器具有驱动频率高、响应速度快、外围部件小型化、开关损耗小、发热量小等优点。
基本信息
专利标题 ：
基于SiC MOSFET的三相四桥臂逆变器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020648167.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-26
授权号 ：
CN211830610U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
纪建辉李明雪纪朋伟马久河谷志锋
申请人 ：
河北汉莎自动化设备科技有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市石家庄新华区兴北街2号
代理机构 ：
北京中索知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡大成
优先权 ：
CN202020648167.X
主分类号 ：
H02M7/5387
IPC分类号 ：
H02M7/5387 H02M1/32
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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