一种用于硅片污染物回收的吸嘴装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于硅片污染物回收的吸嘴装置，包括可上下移动相连的上吸嘴组件和下吸嘴组件；上吸嘴组件包括扫描托架，扫描托架内设有内部吸嘴；扫描托架上还设有两个气体注入部、气体排出部和压力测量部；下吸嘴组件包括位于外部吸嘴支架内的外部吸嘴；外部吸嘴与外部吸嘴支架内壁的上部紧密配合，外部吸嘴与外部吸嘴支架内壁的下部之间留有第一间隙；外部吸嘴的上部两侧开有与第一通道相通的第一间隙；内部吸嘴设置在外部吸嘴内，两个气体注入部分别通过对应的第一通道与第一间隙相通；气体排出部和压力测量部与外部吸嘴的中空内部相通，本实用新型能有效将硅片上的污染物溶解后排出进行分析，且能快速将外部吸嘴和内部吸嘴分离并清洗。
基本信息
专利标题 ：
一种用于硅片污染物回收的吸嘴装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020704346.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-30
授权号 ：
CN211788936U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
朴灵绪
申请人 ：
苏州恩腾半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区02栋703室
代理机构 ：
苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
朱斌兵
优先权 ：
CN202020704346.0
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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