一种吸嘴、承片台及硅片测试设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种吸嘴、承片台及硅片测试设备。所述吸嘴包括，褶皱部；以及连接于褶皱部末端的限位环，真空通道贯通褶皱部和限位环；所述限位环贴合于硅片使所述吸嘴吸附硅片；一种承片台包括所述吸嘴；一种硅片测试设备包括所述吸嘴；一种承片台及硅片测试设备均包括上述吸嘴。利用褶皱部的变形使限位环充分接触并吸附硅片，且在所述限位环的作用下提升硅片沿硅片吸附平面的稳定性，降低晃动。
基本信息
专利标题 ：
一种吸嘴、承片台及硅片测试设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021953264.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-09
授权号 ：
CN212783408U
授权日 ：
2021-03-23
发明人 ：
刘振辉吴凤波
申请人 ：
矽电半导体设备（深圳）股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区龙城街道黄阁坑社区龙城工业园3号厂房三楼东区、五楼中西区
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021953264.6
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-03-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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