防短接LED芯片结构

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摘要

本申请涉及LED芯片技术领域，尤其涉及一种防短接LED芯片结构，包括衬底，衬底上由下向上依次形成有N型半导体层、发光层以及P型半导体层，所述P型半导体层的边缘向下凹陷形成MESA台阶，MESA台阶的底面为N型半导体层的上表面，所述P型半导体层上形成有ITO层，所述ITO层上形成有P电极层，所述P电极层与所述ITO层之间形成有CBL电流阻挡带，所述N型半导体层的上表面对应MESA台阶的底面形成有N电极层，所述P电极层的两侧面对齐N型半导体层的两侧面。本申请由于P电极层的两侧面对齐N型半导体层的两侧面，在焊线工艺时焊接在P电极层上的铜球不会越过MESA台阶与N型半导体层接触，造成正负极短接，导致短路漏电。

基本信息

专利标题：

防短接LED芯片结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202020781550.2

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-05-12

授权号：

CN211555926U

授权日：

2020-09-22

发明人：

刘小辉陈成陈练兵罗龙梅

申请人：

吉安市木林森照明器件有限公司

申请人地址：

江西省吉安市井冈山经济技术开发区南塘路288号

代理机构：

中山市捷凯专利商标代理事务所(特殊普通合伙)

代理人：

杨连华

优先权：

CN202020781550.2

主分类号：

H01L33/38

IPC分类号：

H01L33/38