一种盖板结构及坩埚炉
授权
摘要
本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,具体公开一种盖板结构及坩埚炉。该盖板结构包括盖板本体和绝缘层,盖板本体能够盖设于坩埚炉的侧护板上,盖板本体的厚度沿其径向由边缘向中心逐渐减少,盖板本体的外表面涂覆有绝缘层。本实用新型提供的盖板结构,由于盖板本体的厚度沿其径向由边缘向中心逐渐减少,减少了盖板本体中心位置的重量,能够有效降低盖板本体的中心位置下陷的现象,可以避免盖板本体与硅料直接接触后造成的碳污染的问题,使得铸造晶体硅材料的纯净度较高;通过在盖板本体的外表面涂覆绝缘层,可以起到有效的绝缘作用,即使盖板本体与其上方的加热器接触,也不会出现导电打火的现象,保证生产过程的安全性。
基本信息
专利标题 :
一种盖板结构及坩埚炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020920720.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-05-27
授权号 :
CN212293847U
授权日 :
2021-01-05
发明人 :
王全志陈伟李林东唐珊珊邢国强
申请人 :
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 :
北京品源专利代理有限公司
代理人 :
胡彬
优先权 :
CN202020920720.0
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-01-05 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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