一种考虑芯片表面压力均衡的凸台式压接型IGBT模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种考虑芯片表面压力均衡的凸台式压接型IGBT模块，包括由发射极上凸台和发射极下凸台组成的发射极凸台，发射极上凸台下部设置有柱形发射极孔，发射极下凸台包括凸台本体，凸台本体上连接有与柱形发射极孔配合连接的开口销，开口销中设置有蝶形弹簧，蝶形弹簧顶部紧贴柱形槽的顶部；凸台本体下侧依次设置有发射极钼片、芯片、集电极钼片以及集电极凸台。本实用新型引入碟形弹簧，并采用开口销插接结构，实现芯片间压力均衡。
基本信息
专利标题 ：
一种考虑芯片表面压力均衡的凸台式压接型IGBT模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020943021.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN211858624U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
侯婷郭伟力姬煜轲李岩何智鹏周月宾刘智马定坤王来利
申请人 ：
南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
申请人地址 ：
广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
朱海临
优先权 ：
CN202020943021.8
主分类号 ：
H01L23/16
IPC分类号 ：
H01L23/16 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/16
容器中的填充料或辅助构件，例如定心环
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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