一种考虑芯片热应力补偿的凸台式压接型IGBT模块
授权
摘要
本实用新型公开了一种考虑芯片热应力补偿的凸台式压接型IGBT模块，包括发射级凸台，发射级凸台的内部设置有空腔，空腔的底部为金属薄层，金属薄层上设置有内凸台，且空腔中填充有液态金属，发射级凸台的下部依次设置有发射极钼片、芯片、集电极钼片以及集电极凸台。本实用新型通过在发射极凸台中内置空腔并填充液态金属，通过空腔下方金属薄层的形变实现热应力补偿，从而降低工作时芯片的热应力，提高模块寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种考虑芯片热应力补偿的凸台式压接型IGBT模块
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020943646.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-28
授权号 ：
CN211858625U
授权日 ：
2020-11-03
发明人 ：
何智鹏马定坤姬煜轲侯婷李岩李凌飞刘智郭伟力王来利
申请人 ：
南方电网科学研究院有限责任公司;中国南方电网有限责任公司
申请人地址 ：
广东省广州市萝岗区科学城科翔路11号
代理机构 ：
西安通大专利代理有限责任公司
代理人 ：
朱海临
优先权 ：
CN202020943646.4
主分类号 ：
H01L23/16
IPC分类号 ：
H01L23/16 H01L23/22 H01L29/739
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/16
容器中的填充料或辅助构件，例如定心环
法律状态
2020-11-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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