一种近红外钙钛矿发光二极管
授权
摘要
本实用新型涉及一种近红外钙钛矿发光二极管，包括依次层叠的ITO衬底、二氧化锡/氧化锌复合电子传输层、钙钛矿发光层、修饰层、空穴传输层和MoOx/Au电极；所述二氧化锡/氧化锌复合电子传输层由旋涂在ITO衬底上的二氧化锡薄膜和旋涂在二氧化锡薄膜上的氧化锌薄膜组成。本实用新型利用二氧化锡量子点宽带隙，高迁移率等特点提供了以二氧化锡/氧化锌复合层作为电子传输层的近红外钙钛矿发光二极管，实现了798nm处的近红外发光，启亮电压低至1.2 V，实现了三维钙钛矿的高效近红外发光，外量子效率提高到了5.37%。
基本信息
专利标题 ：
一种近红外钙钛矿发光二极管
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021036369.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-08
授权号 ：
CN212542486U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
方国家刘陈威刘永杰姚方
申请人 ：
武汉大学深圳研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区高新南区粤兴二道6号
代理机构 ：
武汉天力专利事务所
代理人 ：
程祥
优先权 ：
CN202021036369.5
主分类号 ：
H01L51/54
IPC分类号 ：
H01L51/54 H01L51/50 H01L51/56
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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