一种晶硅电池激光Mark点图案
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶硅电池激光Mark点图案。一种晶硅电池激光Mark点图案，包括半径为0.3‑0.5mm的环形激光刻蚀槽（2）和处于环形激光刻蚀槽（2）内部的平行直线激光刻蚀槽（1）。本激光Mark点为圆形，圆内由直线填充，不同直线之间无重叠。本实用新型的有益效果是：不仅易于后续丝印工序的精准定位，而且避免产生Mark区域漏电问题。
基本信息
专利标题 ：
一种晶硅电池激光Mark点图案
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021045679.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-09
授权号 ：
CN212209519U
授权日 ：
2020-12-22
发明人 ：
杨飞飞郭丽张云鹏杨旭彪李雪方吕爱武杜泽霖李陈阳张波赵科魏鲁贵林
申请人 ：
山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请人地址 ：
山西省长治市郊区漳泽新型工业园区
代理机构 ：
太原市科瑞达专利代理有限公司
代理人 ：
李富元
优先权 ：
CN202021045679.3
主分类号 ：
H01L31/068
IPC分类号 ：
H01L31/068 H01L31/02
法律状态
2020-12-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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