一种半桥半导体应变计
授权
摘要
本实用新型公开一种半桥半导体应变计，包括P型硅基底，P型硅基底的顶面设有三个电极，三个电极分别位于P型硅基底的两端与中部，三个电极上还分别连接有金丝，形成半桥结构；三个电极之间的P型硅基底宽度小于三个电极下方的P型硅基底；该半导体应变计本身形成半桥，安装使用方便，并且能够提高传感器的精度。
基本信息
专利标题 ：
一种半桥半导体应变计
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021099509.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-15
授权号 ：
CN211954514U
授权日 ：
2020-11-17
发明人 ：
潘宿城
申请人 ：
蚌埠市长达力敏仪器有限责任公司
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市龙子湖区沿淮路218号
代理机构 ：
安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈俊
优先权 ：
CN202021099509.3
主分类号 ：
G01L1/22
IPC分类号 ：
G01L1/22
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/20
通过测量固体材料或导电流体欧姆电阻变化；应用动力电池，即施加应力后会产生或改变其电位的液体电池
G01L1/22
利用电阻应变仪
法律状态
2020-11-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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