压力传感器封装结构及其形成方法、触控装置
授权
摘要
本发明涉及一种压力传感器封装结构及其形成方法，一种触控装置，所述压力传感器封装结构包括：至少一个压力传感器，所述压力传感器包括：衬底、位于所述衬底表面的敏感膜，所述敏感膜与所述衬底之间具有腔体；至少一个焊球，位于所述敏感膜表面；电路板，所述电路板的第一表面通过所述焊球与所述至少一个压力传感器焊接，实现电路板与压力传感器之间的电连接。所述压力传感器封装结构形成工艺简单且敏感薄膜不易损坏。
基本信息
专利标题 ：
压力传感器封装结构及其形成方法、触控装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108645548A
申请号 ：
CN201810441484.1
公开（公告）日 ：
2018-10-12
申请日 ：
2018-05-10
授权号 ：
CN108645548B
授权日 ：
2022-04-01
发明人 ：
李刚庄瑞芬胡维
申请人 ：
苏州敏芯微电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号NW-09楼102室
代理机构 ：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孙佳胤
优先权 ：
CN201810441484.1
主分类号 ：
G01L1/22
IPC分类号 ：
G01L1/22 G01L1/26 G06F3/045
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/20
通过测量固体材料或导电流体欧姆电阻变化；应用动力电池，即施加应力后会产生或改变其电位的液体电池
G01L1/22
利用电阻应变仪
法律状态
2022-04-01 ：
授权
2018-11-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 1/22
申请日 : 20180510
申请日 : 20180510
2018-10-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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