本发明涉及一种传感器封装结构及方法，其中，传感器封装结构包括：CMOS电路基板，包括CMOS电路及第一电性连接端；检测结构，包括功能单元及电性引出端；第一围堰，位于CMOS电路和检测结构之间，CMOS电路、第一围堰和检测结构围成第一空腔，第一空腔至少包围部分功能单元；电连接结构，设置于CMOS电路的第一围堰暴露的区域，且将电性引出端与第一电性连接端相连。本发明通过将CMOS电路与检测结构键合，以实现集成封装，以大大缩减封装体积，提高集成度；另外，第一围堰和电连接结构分开设置，电连接结构不必依赖第一围堰形成，在工艺和时间上都比较灵活，降低了CMOS电路在形成空腔和电连接工艺条件的限制，扩大了工艺窗口，并缩短了工艺制程时间。