一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法，传感器的晶圆级封装方法包括：提供第一衬底，第一衬底包括基底和设置于基底表面的介质层；在第一衬底上形成检测结构层，检测结构层包括检测结构；提供第二衬底，第二衬底具有第一空腔；在第一衬底上键合第二衬底，第一空腔朝向检测结构层；去除基底；提供第三衬底；在检测结构层远离第二衬底的一侧和/或在第三衬底上设有至少部分围堰；通过围堰在检测结构层远离第二衬底的一侧键合第三衬底，围堰与第三衬底围成第二空腔，第二空腔朝向检测结构层。
基本信息
专利标题 ：
一种传感器的晶圆级封装结构及其封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388685A
申请号 ：
CN202011119450.4
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2020-10-19
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
狄云翔刘孟彬韩凤芹
申请人 ：
中芯集成电路（宁波）有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市北仑区小港街道安居路335号3幢、4幢、5幢
代理机构 ：
北京思创大成知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘亭
优先权 ：
CN202011119450.4
主分类号 ：
H01L35/34
IPC分类号 ：
H01L35/34 H01L35/32 B81C1/00 B81B7/00
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 35/34
申请日 : 20201019
申请日 : 20201019
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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