电子组件以及电子电路
授权
摘要
一种电子组件，包括：氮化镓衬底；第一连接端子和第二连接端子，形成在氮化镓衬底上；场效应功率晶体管，形成在氮化镓衬底上并且包括栅极、源极和漏极；第一肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第一连接端子和晶体管的栅极之间；以及第二肖特基二极管，形成在氮化镓衬底上并且被定位于第二连接端子和晶体管的栅极之间。通过本公开的实施例，可以例如保护晶体管的栅极而不降低开关速度。
基本信息
专利标题 ：
电子组件以及电子电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021138008.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-18
授权号 ：
CN212676263U
授权日 ：
2021-03-09
发明人 ：
M·罗维瑞A·伊万M·萨德纳V·斯卡尔帕
申请人 ：
意法半导体应用有限公司;意法半导体(图尔)公司
申请人地址 ：
德国阿什海姆
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202021138008.1
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/8252 H02M1/00 H02M1/08 H02M1/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2021-03-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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