电子电路
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种绝缘栅型场效应晶体管。其栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液中，而使之阳极氧化，形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层，因而无氧化铝在其上形成，这样可以通过常规腐蚀，除去连接的布线。
基本信息
专利标题 ：
电子电路
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1081282A
申请号 ：
CN93106335.3
公开（公告）日 ：
1994-01-26
申请日 ：
1993-05-08
授权号 ：
CN1033769C
授权日 ：
1997-01-08
发明人 ：
张宏勇鱼地秀贵安达广树小山到山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN93106335.3
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31 H01L21/28 H01L21/336 H01L27/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2013-06-19 ：
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101473722303
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL931063353
申请日 : 19930508
授权公告日 : 19970108
期满终止日期 : 20130508
号牌文件序号 : 101473722303
IPC(主分类) : H01L 21/31
专利号 : ZL931063353
申请日 : 19930508
授权公告日 : 19970108
期满终止日期 : 20130508
1997-01-08 ：
授权
1995-08-16 ：
实质审查请求的生效
1994-01-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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