在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方...
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
在阶梯形材料层上覆盖第一材料层，该层也有阶梯不平的凹槽，并在它上面生成第二掩模层和转化层，对转化层进行转化而成为可选择的腐蚀层，在除下未转化的部分之后，在第二掩模层中沿凹槽边沿形成带开口的中间掩模层。用中间掩模对第一材料层进行各向异性腐蚀处理生成沟槽。根据情况在下一层衬底区中也生成沟槽。为了形成绝缘区用氧化硅填在这些槽里。如果在硅的衬底区的上面用的是多晶硅第一材料层，则该层可分别作为掺杂质的源以及供连接用，于是可以制造各种类型的晶体管。
基本信息
专利标题 ：
在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85103535A
申请号 ：
CN85103535.3
公开（公告）日 ：
1986-11-05
申请日 ：
1985-05-06
授权号 ：
CN85103535B
授权日 ：
1988-08-10
发明人 ：
阿佩尔斯马斯
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩的霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
李先春
优先权 ：
CN85103535.3
主分类号 ：
H01L21/302
IPC分类号 ：
H01L21/302 H01L21/31 H01G4/06
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
法律状态
1993-08-18 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-08-16 ：
发明专利公报更正
更正 卷 : 4 号 : 32 页码 : 52 更正项目 : 无 误 : 李先春 正 : 林长安
1989-07-05 ：
授权
1988-08-10 ：
审定
1987-08-12 ：
实质审查请求
1986-11-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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