气化器
实质审查的生效
摘要
提供一种气化器，为了实现液体原料的高温加热，提高金属制内加热器块与耐热玻璃制的内管的紧贴性，提高从内加热器的导热。气化器(A)由雾化器(7)、气化器主体(Ah)以及加热部(Ak)构成。加热部(Ak)由内加热器块(3)和内加热器(9)构成。内管(2)由耐热玻璃制成，具有比中空的气化器主体(Ah)的内径小的外径。内加热器块(3)由沿着其中心轴(CL)分割的分割体(31～3n)和弹性材料(8)构成。弹性材料(8)配设在分割体(31～3n)之间，以将分割体(31～3n)向分离方向按压施力并使其按压于内管(2)的内周面的方式发挥作用。内加热器(91～9n)分别埋设于所述分割体(31～3n)。
基本信息
专利标题 ：
气化器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114270480A
申请号 ：
CN202080057826.5
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2020-03-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小野弘文古门龙彦
申请人 ：
琳科技股份有限公司
申请人地址 ：
日本滋贺县
代理机构 ：
中国贸促会专利商标事务所有限公司
代理人 ：
韩卉
优先权 ：
CN202080057826.5
主分类号 ：
H01L21/31
IPC分类号 ：
H01L21/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
法律状态
2022-04-19 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/31
申请日 : 20200305
申请日 : 20200305
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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