一种高光提取率的LED的结构化基底
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摘要
本实用新型公开了一种高光提取率的LED的结构化基底，包括主基底层和结构化层，主基底层的顶端与结构化层的底端固定连接，主基底层包括蓝宝石衬底，蓝宝石衬底的顶端铺设有LED外延层，LED外延层的中部固定设有块状凸起，结构化层包括与块状凸起顶端连接的P型半导体，P型半导体的顶端固定设有量子阱发光层，量子阱发光层的顶端固定设有N型半导体，本实用新型的有益效果是通过设有的块状凸起、介质高反膜和氮化硅薄膜层，可以最大程度限制LED光子横向传输的光子损失，从而提高了器件的光提取效率，大大提高了LED侧壁光的输出率，通过设有的量子阱发光层和金属反光层，提高光子的纵向出射几率，有效提高LED的光提取效率。
基本信息
专利标题 ：
一种高光提取率的LED的结构化基底
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021178859.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-23
授权号 ：
CN212011016U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
张江鹏李婷婷李会杰孟立智宋士增
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘闻铎
优先权 ：
CN202021178859.9
主分类号 ：
H01L33/24
IPC分类号 ：
H01L33/24 H01L33/10 H01L33/06 H01L33/46
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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