一种降低硅锭中碳含量的拼接式护板装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种降低硅锭中碳含量的拼接式护板装置,包括一装置底板和设置于所述装置底板上且位于所述装置底板四周的护板,所述护板顶部设置有开口,所述开口上固定有一形状与所述开口适配的石墨块,所述石墨块上端设置有用于通气的通气孔。本实用新型通过在护板的开口上增设一个具有通气孔的石墨块,可以有效减少多晶硅锭或铸造单晶硅锭的的过程中碳杂质含量,提高了切片良率和光电转换效率;相比于将原有的开口护板更换成无开口护板,通过石墨块将开口封住,成本较低,且石墨块上设置有小孔,有利于气体流出。
基本信息
专利标题 :
一种降低硅锭中碳含量的拼接式护板装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021238262.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-29
授权号 :
CN212895086U
授权日 :
2021-04-06
发明人 :
刘世龙陈发勤李春林梁学勤
申请人 :
宜昌南玻硅材料有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请人地址 :
湖北省宜昌市猇亭区南玻路1号
代理机构 :
深圳市精英专利事务所
代理人 :
武志峰
优先权 :
CN202021238262.9
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06 C30B28/06 C30B11/00
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2021-04-06 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载