硅芯方锭铸锭装置
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摘要

本实用新型涉及一种硅芯方锭铸锭装置,包括石墨块,所述石墨块上设置有定向导气块,所述定向导气块上设置有坩埚,所述坩埚外侧设置有定位块,所述坩埚外侧设置有加热器,所述加热器外侧设置有保温层,所述保温层外侧设置有炉体,所述定向导气块包括导气块本体,所述导气块本体的横向中轴线上间隔设置有五个通气口,其中,最左边一个通气口设置为出气口,其余四个通气口均设置为进气口,所述导气块本体的正面设置有冷却槽,所述冷却槽内自左至右依次间隔设置有第一导气凸块、两个前后对称的第二导气凸块以及两个前后对称的第三导气凸块。本实用新型一种硅芯方锭铸锭装置具有利于生产加宽加长型硅芯方锭、冷却均匀、提高产品质量的优点。

基本信息
专利标题 :
硅芯方锭铸锭装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921019302.8
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-01
授权号 :
CN210596321U
授权日 :
2020-05-22
发明人 :
孙继勤武东伟刘德胜
申请人 :
江阴东升新能源股份有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市江阴市新桥镇锦园路
代理机构 :
江阴市轻舟专利代理事务所(普通合伙)
代理人 :
曹键
优先权 :
CN201921019302.8
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B28/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2020-05-22 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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