一种方硅芯铸锭炉真空系统
授权
摘要
本实用新型公开了一种方硅芯铸锭炉真空系统，主要以解决现有铸锭炉中炉腔压力的控制不稳定的问题。包括：上腔体，所述上腔体具有炉体左出气口与炉体右出气口，所述炉体左出气口位于所述上腔体的左侧；所述炉体右出气口位于所述上腔体的右侧；炉体抽气管，所述炉体抽气管连接所述炉体左出气口与所述炉体右出气口；真空管道主抽阀，所述真空管道主抽阀与所述炉体抽气管相连接；干泵机组，所述干泵机组与所述真空管道主抽阀相连接。本实用新型获得了压力控制稳定的优点。
基本信息
专利标题 ：
一种方硅芯铸锭炉真空系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022354995.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
CN214361838U
授权日 ：
2021-10-08
发明人 ：
徐永亮周春霞白斌徐养毅
申请人 ：
苏州昀丰半导体装备有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市张家港经济技术开发区（杨舍镇）晨丰公路1436号
代理机构 ：
苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐鸣
优先权 ：
CN202022354995.5
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B28/06 F04B37/14 F04B49/06 F04B49/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2021-10-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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