一种方硅芯铸锭炉装置及使用方法
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摘要

本发明公开了一种方硅芯铸锭炉装置,涉及硅片加工技术领域。在本申请中,硅芯生产装置,包括:机体设置在平面上,机体包括:前侧机架呈竖直设置在平面上;后侧机架位于前侧机架的一侧;左侧顶梁位于前侧机架的上方一侧;侧部下梁位于前侧机架的下方一侧;前侧机架、后侧机架、左侧顶梁、侧部下梁组合形成框架,框架设置有两组呈对称设置;横梁位于两组框架之间;腔体设置在机体的内部;升降装置设置在机体的一侧;导向装置设置在腔体的下方;坩埚设置在腔体的内部;工装夹具设置在外置装置上。本发明用于解决现有技术中硅芯铸锭完成后需要将下炉体进行横向移出然后在进行取料导致设备占地空间大、操作繁琐的问题。

基本信息
专利标题 :
一种方硅芯铸锭炉装置及使用方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112239887A
申请号 :
CN202011134428.7
公开(公告)日 :
2021-01-19
申请日 :
2020-10-21
授权号 :
CN112239887B
授权日 :
2022-04-19
发明人 :
徐永亮白斌李振徐养毅周春霞
申请人 :
苏州昀丰半导体装备有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路沙洲湖科创园A1栋(昀丰)
代理机构 :
苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司
代理人 :
徐鸣
优先权 :
CN202011134428.7
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2022-04-19 :
授权
2021-08-13 :
著录事项变更
IPC(主分类) : C30B 28/06
变更事项 : 申请人
变更前 : 苏州昀丰半导体装备有限公司
变更后 : 苏州昀丰半导体装备有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 215600 江苏省苏州市张家港市杨舍镇华昌路沙洲湖科创园A1栋(昀丰)
变更后 : 215600 江苏省苏州市张家港经济技术开发区(杨舍镇)晨丰公路1436号
2021-02-05 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 28/06
申请日 : 20201021
2021-01-19 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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