一种内嵌含能薄膜的自毁芯片
授权
摘要
本公开提供了一种内嵌含能薄膜的自毁芯片。该芯片以待毁伤信息芯片为基底层，依次将微加热器层、含能薄膜层集成制造在基底层上，该芯片可显著降低自毁芯片中含能材料装药量，提高使用安全性，同时通过进一步使用耐高温含能材料以及低温封装技术，可确保含能薄膜以及自毁芯片的应用性能在各种恶劣环境下不退化，并增加芯片的散热能力、机械性质与物理性质。
基本信息
专利标题 ：
一种内嵌含能薄膜的自毁芯片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021335775.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-09
授权号 ：
CN212648226U
授权日 ：
2021-03-02
发明人 ：
张剑张庆明焦纲领王燕兰张蕾沈永福张方褚恩义陈建华韩瑞山
申请人 ：
中国人民解放军92228部队;中国兵器工业第二一三研究所
申请人地址 ：
北京市房山区长阳镇稻田南里7号
代理机构 ：
北京科石知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐红岗
优先权 ：
CN202021335775.1
主分类号 ：
H01L23/34
IPC分类号 ：
H01L23/34 H01L23/00 B81C1/00 B81B7/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
法律状态
2021-03-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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