一种含能材料驱动芯片自毁控制机构系统及其实现方法
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摘要

本发明公开了一种含能材料驱动芯片自毁控制机构系统及其实现方法。本发明采用含能装药机构连接至自毁驱动电极,自毁驱动电极连接至自毁控制电路;自毁驱动电极包括底层电极、中间层电极和顶层电极,中间层电极与顶层电极之间有空腔,底层电极和中间层电极分别连接至自毁控制电路的两个独立的电源,顶层电极连接至含能装药机构的含能材料,含能材料正对核心电子芯片;自毁控制电路通过自毁驱动电极驱动含能材料处于物理隔离状态或执行自毁;并且,在取消自毁时,含能材料能够重新回到物理隔离状态,从而实现可恢复;在受到外环境干扰时,能够有效防止干扰信号对安全性的影响,通过安全控制逻辑提高系统应用的安全性。

基本信息
专利标题 :
一种含能材料驱动芯片自毁控制机构系统及其实现方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114067855A
申请号 :
CN202111502457.9
公开(公告)日 :
2022-02-18
申请日 :
2021-12-10
授权号 :
CN114067855B
授权日 :
2022-05-10
发明人 :
冯恒振娄文忠吕斯宁何博苏文亭
申请人 :
北京理工大学
申请人地址 :
北京市海淀区中关村南大街5号
代理机构 :
北京万象新悦知识产权代理有限公司
代理人 :
王岩
优先权 :
CN202111502457.9
主分类号 :
G11C5/00
IPC分类号 :
G11C5/00  G11C7/24  G06F21/78  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G11
信息存储
G11C
静态存储器
G11C5/00
包括在G11C11/00组中的存储器零部件
法律状态
2022-05-10 :
授权
2022-03-08 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G11C 5/00
申请日 : 20211210
2022-02-18 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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