一种真空加热块治具
授权
摘要
本实用新型提供一种真空加热块治具，通过在基板操作平台上设有多排真空孔，避免在基板操作平台的中心位置设置单排真空孔而在薄基板的真空吸附位置产生相应的凹陷，造成芯片封装的空洞；同时增加多排真空孔以适当增强对薄基板的吸附力，同时每排真空孔之间存在一定间距使得对薄基板的吸附力能够分散开，避免应力集中造成对薄基板的损伤；此外，通过在真空加热块治具本体顶面设置多个U形收集槽，以减小基板与真空加热块治具之间的接触面积，同时U形收集槽可以收集基板运输轨道上存在的灰尘或者异物，通过以上两种方式减小基板划伤的风险。
基本信息
专利标题 ：
一种真空加热块治具
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021363437.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-13
授权号 ：
CN212434591U
授权日 ：
2021-01-29
发明人 ：
邢鹏
申请人 ：
甬矽电子（宁波）股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市中意宁波生态园兴舜路22号
代理机构 ：
浙江杭州金通专利事务所有限公司
代理人 ：
邓世凤
优先权 ：
CN202021363437.9
主分类号 ：
H01L21/683
IPC分类号 ：
H01L21/683 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
法律状态
2021-01-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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