基于热电效应的半导体局部制冷设备

授权

摘要

本实用新型公开了一种基于热电效应的半导体局部制冷设备。设备包括：制冷面、热电半导体制冷片、散热组件、温度传感器和温度控制器；所述热电半导体制冷片包括低温端和高温端；所述制冷面的表面分为A面和B面，所述制冷面的B面与热电半导体制冷片的低温端连接，所述散热组件与所述热电半导体制冷片的高温端连接；所述温度传感器与制冷面的A面连接；所述温度控制器与所述温度传感器、热电半导体制冷片的低温端、以及散热组件分别连接。本实用新型可以为科研实验室局部制冷、医疗冷却处理、食品降温保鲜，生物技术等需要在开放空间局部制冷的场合提供便携、小型的制冷设备。

基本信息

专利标题：

基于热电效应的半导体局部制冷设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021405663.9

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-07-16

授权号：

CN212746956U

授权日：

2021-03-19

发明人：

吴挺俊高鹏

申请人：

厦门稀土材料研究所

申请人地址：

福建省厦门市集美区兑山西珩路258号

代理机构：

北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

聂稻波

优先权：

CN202021405663.9

主分类号：

F25B21/02

IPC分类号：

F25B21/02 F25B49/00 H05K7/20