半导体制冷模组及半导体制冷装置
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体制冷模组，包括第一半导体制冷片及密封罩，所述密封罩内部设置有容纳腔，所述容纳腔中为真空，所述第一半导体制冷片容置于所述容纳腔中。本实用新型还提供包括上述半导体制冷模组的半导体制冷装置。所述半导体制冷模组及半导体制冷装置通过将半导体制冷片密封于真空中，提高了制冷效率。
基本信息
专利标题 ：
半导体制冷模组及半导体制冷装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921061744.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-05
授权号 ：
CN210663443U
授权日 ：
2020-06-02
发明人 ：
佟贵年
申请人 ：
佟贵年
申请人地址 ：
广东省深圳市龙华区和黄懿花园12栋一座8C
代理机构 ：
深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 ：
唐芳芳
优先权 ：
CN201921061744.9
主分类号 ：
F25B21/02
IPC分类号 ：
F25B21/02
相关图片
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F25
制冷或冷却；加热和制冷的联合系统；热泵系统；冰的制造或储存；气体的液化或固化
F25B
制冷机，制冷设备或系统；加热和制冷的联合系统；热泵系统
F25B
制冷机，制冷设备或系统；加热和制冷的联合系统；热泵系统
F25B21/00
应用电或磁效应的制冷机器、装置或系统
F25B21/02
应用珀耳贴效应；应用能斯特—厄廷豪森效应
法律状态
2020-06-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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