新型半导体制冷装置
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了新型半导体制冷装置，包括有热电堆、散热件和导冷件，其设计要点在于热电堆上的上导流片外侧与散热件贴合，上导流片外侧传导面上设有至少一层类金刚石膜；热电堆上的下导流片外侧与导冷件贴合，下导流片外侧传导面也设有至少一层类金刚石膜。本实用新型目的是提供一种成本低且散热效率高，制冷效果好的新型半导体制冷装置。
基本信息
专利标题 ：
新型半导体制冷装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200820200122.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2008-09-02
授权号 ：
CN201285191Y
授权日 ：
2009-08-05
发明人 ：
胡振辉
申请人 ：
胡振辉
申请人地址 ：
528403广东省中山市东凤镇和泰工业区置业路11号中山市鸿泰电子有限公司
代理机构 ：
中山市科创专利代理有限公司
代理人 ：
尹文涛
优先权 ：
CN200820200122.5
主分类号 ：
F25B21/02
IPC分类号 ：
F25B21/02
IPC结构图谱
F
F部——机械工程；照明；加热；武器；爆破
F25
制冷或冷却；加热和制冷的联合系统；热泵系统；冰的制造或储存；气体的液化或固化
F25B
制冷机，制冷设备或系统；加热和制冷的联合系统；热泵系统
F25B
制冷机，制冷设备或系统；加热和制冷的联合系统；热泵系统
F25B21/00
应用电或磁效应的制冷机器、装置或系统
F25B21/02
应用珀耳贴效应；应用能斯特—厄廷豪森效应
法律状态
2012-11-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101346919266
IPC(主分类) : F25B 21/02
专利号 : ZL2008202001225
申请日 : 20080902
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20110902
号牌文件序号 : 101346919266
IPC(主分类) : F25B 21/02
专利号 : ZL2008202001225
申请日 : 20080902
授权公告日 : 20090805
终止日期 : 20110902
2009-08-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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