感性耦合反应器
授权
摘要
一种感性耦合反应器，感性耦合反应器包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合射频单元；所述感性耦合射频单元包括：屏蔽罩；位于所述屏蔽罩内部的反应室介质管，所述反应室介质管的侧壁倾斜且反应室介质管的顶部横截面小于底部横截面；位于所述屏蔽罩内部且分布于所述反应室介质管侧部的射频天线，所述射频天线包括有效射频天线，所述有效射频天线的高度可调。所述感性耦合反应器能加强对等离子体分布的控制能力。
基本信息
专利标题 ：
感性耦合反应器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021504259.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-27
授权号 ：
CN212322964U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
吴堃杨猛
申请人 ：
上海邦芯半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区卫昌路293号2幢12638室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021504259.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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