感性耦合反应器
授权
摘要
一种感性耦合反应器包括：反应腔主体；位于所述反应腔主体上方的感性耦合等离子体源；所述感性耦合等离子体源包括：第一反应介质室；位于第一反应介质室上方的第二反应介质室，所述第二反应介质室的底部和所述第一反应介质室的顶部中间区域贯通，所述第二反应介质室的侧壁底部延伸至所述第一反应介质室内且高度可调；位于所述第一反应介质室侧部的下射频天线；位于所述第二反应介质室侧部的上射频天线；所述上射频天线馈入的射频功率和所述下射频天线馈入的射频功率分别可调。所述感性耦合反应器能够加强对等离子分布的控制能力。
基本信息
专利标题 ：
感性耦合反应器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021506952.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-27
授权号 ：
CN212322965U
授权日 ：
2021-01-08
发明人 ：
吴堃
申请人 ：
上海邦芯半导体设备有限公司
申请人地址 ：
上海市金山区卫昌路293号2幢12638室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021506952.8
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 H01J37/32
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-01-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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