一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备
授权
摘要
本实用新型涉及等离子体刻蚀的技术领域，公开了一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备，所述压差开关包括至少两个压力探测机构和压力波动阻尼器，所述压力探测机构的其中一个用于探测第一环境中的压力，另外一个用于探测第二环境中的压力；所述压力波动阻尼器置于至少一个所述压力探测机构中，用于过滤短暂的压力波动。将压力管道中偶尔会产生的短暂的压力波动过滤掉，短暂的压力波动并不会造成安全事故，防止压差开关将短暂的压力波动也判断为压力值异常、不达标从而将设备关闭，从而防止影响生产和报废正在刻蚀的晶圆，造成损失；并且，所述压差开关的体积较小，易于集成安装于半导体处理设备中。
基本信息
专利标题 ：
一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021574414.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-31
授权号 ：
CN213184199U
授权日 ：
2021-05-11
发明人 ：
江家玮王治平
申请人 ：
中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区金桥出口加工区（南区）泰华路188号
代理机构 ：
深圳中创智财知识产权代理有限公司
代理人 ：
文言
优先权 ：
CN202021574414.2
主分类号 ：
H01J37/32
IPC分类号 ：
H01J37/32 H01L21/67 G01L11/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/32
充气放电管
法律状态
2021-05-11 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
