一种TD-LTE双核心组网架构结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种TD‑LTE双核心组网架构结构，包括第一框架和第二框架，第一框架底端的四个边角均固定设有第一减振机构，第一框架一侧的顶部固定安装有温控仪，温控仪的检测探头固定置于第一框架顶端的内壁，第一框架顶端的四个边角均固定设有固定盘，四个固定盘的顶端均通过支撑柱分别与四个托盘的底端固定连；本实用新型的有益效果是：本实用新型一种TD‑LTE双核心组网架构结构，设置第一放置板和第二放置板，并且在第一放置板的表面和第二放置板的表面开设圆孔，便于安装双核心组网，同时能够对双核心组网通风，通过在四个限位柱的顶端设置减振橡胶垫，能够对第一框架和第二框架提供减振，提高第一框架和第二框架的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种TD-LTE双核心组网架构结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021671660.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN212519700U
授权日 ：
2021-02-09
发明人 ：
孙成财丁志崑
申请人 ：
安徽引途科技有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区长江西路499号丰乐世纪公寓2幢801室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202021671660.X
主分类号 ：
H05K5/02
IPC分类号 ：
H05K5/02 H05K7/20 H05K7/14 F16F15/08
法律状态
2021-02-09 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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