一种用于硅芯拉制的预热装置
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摘要

本实用新型公开了一种用于硅芯拉制的预热装置,装置包括预热片,还包括置于硅芯料上方的硅本体,预热片在硅本体上,硅本体的上表面设置有预热槽,预热片放置在预热槽中,预热装置还包括加热线圈,所述加热线圈设置于所述预热片上方,所述加热线圈与所述预热片同轴设置且靠近所述预热片的上表面;所述硅本体的下表面与硅芯料接触。预热装置在硅本体的上表面设置预热槽,将预热片放置在所述预热槽中,使得在多次的预热中预热片不会因氧化出现粉化,也可固定预热片避免出现磨损掉渣的情形;让硅本体的下表面与硅芯料直接接触,不会出现籽晶加热滴落的过程中容易掉落等,提高了预热的成功率,也提高了硅芯拉制的生产效率。

基本信息
专利标题 :
一种用于硅芯拉制的预热装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021696235.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-08-14
授权号 :
CN213476147U
授权日 :
2021-06-18
发明人 :
安红军汪成洋陈斌张孝山甘易武冉胜国齐悦
申请人 :
亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
申请人地址 :
青海省西宁市经济技术开发区金硅路1号
代理机构 :
成都华风专利事务所(普通合伙)
代理人 :
张巨箭
优先权 :
CN202021696235.6
主分类号 :
C30B13/16
IPC分类号 :
C30B13/16  C30B15/00  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B13/00
区域熔融法单晶生长;区域熔融法精炼
C30B13/16
熔融区的加热
法律状态
2021-06-18 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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