一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜
授权
摘要
本实用新型公开了一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜，包括由下往上层叠设置的加硬层、第二底涂层、基材层、第一底涂层、高折射率加硬层、二氧化硅耐磨层和氧化铟锡层，所述氧化铟锡层的厚度为15‑65nm；所述二氧化硅耐磨层的厚度为5‑25nm，折射率为1.43‑1.58，所述高折射率加硬层的厚度为0.3‑3μm，折射率为1.62‑1.67，在涂敷到高折射率加硬层和氧化铟锡层之间增加了二氧化硅耐磨层，能够有效提升ITO导电膜表面的硬度，使ITO导电膜在生产过程中，其表面更具有耐磨性，不容易被划伤。
基本信息
专利标题 ：
一种耐划伤高透过的ITO透明导电膜
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021731302.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-19
授权号 ：
CN212392009U
授权日 ：
2021-01-22
发明人 ：
王志坚陈超陈涛赵飞张涛
申请人 ：
浙江日久新材料科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市海盐县西塘桥街道（海盐经济开发区）银滩路189号
代理机构 ：
苏州科仁专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
郭杨
优先权 ：
CN202021731302.3
主分类号 ：
H01B5/14
IPC分类号 ：
H01B5/14
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B5/00
按形状区分的非绝缘导体或导电物体
H01B5/14
在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的
法律状态
2021-01-22 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
