一种激光晶圆切割后清洗吹干装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种激光晶圆切割后清洗吹干装置，包括箱体、控制器和电机，所述箱体上部设置有进料口，残渣抽屉左侧设置有抽屉把手，且抽屉把手下端设置有进水口，进水口设置在水箱左端，水箱左端上部设置有上水管，水泵下端设置分水管，分水管左端通过水管连接有第一冲洗器，分水管右端通过水管连接有第二冲洗器，且第二冲洗器下端设置第二冲洗喷头，箱体下端设置有支架，该激光晶圆切割后清洗吹干装置，结构设置合理，在进料口下端设置过滤板，过滤板上端设置第一冲洗器和第二冲洗器，过滤板下端设置残渣抽屉，水箱上设置上水管并配备水泵，可以实现循环利用，在吹风口下端设置运输带，使得机器自动化。
基本信息
专利标题 ：
一种激光晶圆切割后清洗吹干装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021861107.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-31
授权号 ：
CN212570942U
授权日 ：
2021-02-19
发明人 ：
巩铁建陶为银
申请人 ：
河南通用智能装备有限公司
申请人地址 ：
河南省郑州市高新技术产业开发区瑞达路96号创业中心2号一楼A130-10号
代理机构 ：
郑州中原专利事务所有限公司
代理人 ：
范小方
优先权 ：
CN202021861107.2
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B23K26/70 B23K26/16 B23K26/38 B23K26/402
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-02-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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