一种真空回流焊结构和装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种真空回流焊结构和装置,结构包括:底板,向下弯曲设置;焊料,设置于所述底板的上表面;陶瓷覆铜板,设置于所述焊料上方;芯片,设置于所述陶瓷覆铜板上方;盖板,自所述芯片的上方朝所述底板盖合设置,所述盖板与所述底板朝相同方向弯曲且与所述底板贴合。本实用新型通过将所述盖板设置为自所述芯片的上方朝所述底板盖合,且使得所述盖板与所述底板朝相同方向弯曲并与所述底板贴合,且一个盖板对应一个底板,由于所述盖板与所述底板朝相同方向弯曲并能够贴合因此在进行回流焊的过程中能够避免盖板与陶瓷覆铜板之间出现间隙,在回流焊后陶瓷覆铜板能够被可靠地固定而不会出现偏移,可广泛应用于IGBT焊接技术领域。

基本信息
专利标题 :
一种真空回流焊结构和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021895428.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-02
授权号 :
CN213184215U
授权日 :
2021-05-11
发明人 :
刘斌刘耀钟
申请人 :
广东芯聚能半导体有限公司
申请人地址 :
广东省广州市南沙区南沙街道南林路一巷73号之四103房
代理机构 :
广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人 :
常柯阳
优先权 :
CN202021895428.4
主分类号 :
H01L21/60
IPC分类号 :
H01L21/60  B23K3/00  B23K3/08  B23K37/04  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件,例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/60
引线或其他导电构件的连接,用于工作时向或由器件传导电流
法律状态
2021-05-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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