一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置

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摘要

本实用新型公开了一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置，包括蚀刻槽，蚀刻槽的顶部固定安装有供气装置，供气装置包括供气箱、气泵、供气管、传输管、第一分流管、第二分流管、喷气嘴，供气箱固定安装在蚀刻槽的顶部，供气箱的顶部固定连接有供气管，供气管的一侧端部固定连接有气泵，气泵固定设在蚀刻槽的一侧外壁，供气管的另一侧贯穿通过供气箱的顶部并且端部固定连接有传输管，传输管一侧端部固定连接有第一分流管、另一侧端部固定连接有第二分流管，第一分流管和第二分流管弧形面上均均匀设有若干喷气嘴；蚀刻槽的两侧内壁外凸设有滚动组件，滚动组件转动连接有动力机构。

基本信息

专利标题：

一种半导体芯片制造的蚀刻槽内高压气体供气装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021917734.3

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-05

授权号：

CN212542374U

授权日：

2021-02-12

发明人：

邹宏伟

申请人：

邹宏伟

申请人地址：

广东省广州市番禺区亚运城媒体南村23座202

代理机构：

代理人：

优先权：

CN202021917734.3

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67